Похожие запросы

Intel SSDPEDMX012T401 накопитель SSD

103741.00 р.

Назначение внутренний Тип SSD Линейка P3500 Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 1200 Гб Тип флэш-памяти MLC Скорость чтения 2600 Мб/сек Скорость записи 1200 Мб/сек
Подробнее похожие товары
Intel SSDSC2BA012T401

124753.00 р.

Если вам необходимо постоянно хранить на своем компьютере большие объемы информации, то вам обязательно пригодятся современное оборудование, каким является накопитель SSD INTEL S3710 SSDSC2BA012T401. Устройство впечатляет рабочими характеристики и своим внешним видом. Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма и имеет толщину в 7 мм. Жесткий диск может сохранить огромный объем информации в 1.2 Тб, что очень пригодится, если вы работаете, например, с большими инженерными проектами. Скорость записи и чтения информации накопителем SSD INTEL S3710 SSDSC2BA012T401 составляет 500 Мб/с, что обеспечивается благодаря подключению через интерфейс SATA III. Устройство потребляет всего 6,9 Вт, поэтому отличается низким тепловыделением. Рабочие температуры устройства находятся в отрезке от 0 до +70 градусов.
Подробнее похожие товары
Intel SSDPEDMW800G4X1

57124.00 р.

Оцените будущую производительность подсистем хранения данных клиентских настольных ПК и рабочих станций с твердотельными накопителем Intel серии 750. Твердотельный накопители Intel 750 обеспечивают бескомпромиссную производительность благодаря использованию интерфейса NVM Express на четырех линиях шины PCIe 3.0. Поддержка форм-факторов карт расширения и 2.5-дюймовых дисков твердотельным накопителем Intel 750 упрощает миграцию с SATA на PCIe 3.0 без ограничений производительности, связанных с энергопотреблением или тепловыделением. Теперь твердотельные накопители смогут обеспечить наивысший уровень производительности в системах разнообразных форм-факторов и конфигураций.
Подробнее похожие товары
Samsung MZ-75E2T0BW

59469.00 р.

В обычной флэш-памяти типа NAND плоские ячейки хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND с ячейками вертикальной формы, что позволяет устранить влияние ячеек друг на друга. Увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба надежности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать одновременно емкую, быструю и надежную память. Обеспечьте максимальную скорость чтения/записи для оптимизации скорости выполнения задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. Накопители серии 850 EVO обеспечивают высочайшую производительность в своем классе с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540/520 млн байт / сек соответственно.
Подробнее похожие товары